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兵庫県たつの市揖西町南山3-8
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電子材料・実験研究用材料
クリーンルーム内での作業用品だけでなく、研究開発用の材料、部品に関しても是非ご検討ください。
以下の様な内容に関してご相談を承ります。
ご相談は専用フォームにてお願いいたします。
高純度金属類(MBE用等)
MBE法による結晶成長、各種電極形成､試料組成の制御、
などに高純度金属材料は欠かせません。ご用途に応じて使い易い形状についてのご相談も可能です。
| Al |
純度： 5N+％ 6N％ 形状： ペレット、ワイヤー等 |
As |
純度： 7N+％ 7N5％ 形状： ロッド、チャンク |
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| Ga |
純度： 7N+％ 7N5％(MBEグレード) 形状： ショット、ロッド |
Si |
純度： 9N％以上 形状： ペレット、ウエハー |
|
| Be |
純度： 5N+％ 形状： 不規則塊状 |
Sn |
純度： 6N％ 形状： ショット |
|
| Sb |
純度： 7N％、7N5％(MBEグレード） 形状： ショット、ロッド |
In |
純度： 7N％ 形状： ショット、インゴット |
|
| Zn |
純度： 7N％、7N5％(MBEグレード） 形状： ショット、ロッド |
P |
純度： 6N％、7N％ 形状： 塊状、ロッド |
|
| Mg |
純度： 6N％ 形状： ロッド |
Mn |
純度： 5N％ 形状： フレーク |
|
| Cd |
純度： 6N％、7N％ 形状： ショット |
Te |
純度： 6N％、7N％ 形状： フレーク |
各種材料基板
各種半導体、誘電体、などの単結晶基板を供給致します。
基板直径、厚み、結晶面方位、膜形成加工など、ご要望に沿ってお探しします。
基板直径、厚み、結晶面方位、膜形成加工など、ご要望に沿ってお探しします。
シリコン(Fz品1,000〜20,000Ω＆Cz品）SOI基板、膜付ウエハー（酸化膜等）
GaAs,InP、GaP、InAs,InSb,GaSb(3-5)酸化物単結晶（サファイア、MgO等）フッ化物
GaN＆InNテンプレート等、石英、SiC、II-VI化合物(ZnSe,CdSe,ZnTe等）
仕様
N型、P型、SI型、特殊面方位、オフ基板、ダミー・モニター用、バイクリスタル等
GaAs,InP、GaP、InAs,InSb,GaSb(3-5)酸化物単結晶（サファイア、MgO等）フッ化物
GaN＆InNテンプレート等、石英、SiC、II-VI化合物(ZnSe,CdSe,ZnTe等）
仕様
N型、P型、SI型、特殊面方位、オフ基板、ダミー・モニター用、バイクリスタル等
加工品各種
ご使用中の種々装置の運転、保守に必要な部品、加工品は多岐に渡ります。
- Moホルダー、ボート、ネジ、ワッシャー、ガスケット(Cu＆AgコートCu) (Moホルダーは新規作成・ピン修理もいたします。)
- Kセル（各種容量及びヒーターの形状をオリジナルで制作、及び修理もいたします。)
- R-HEEDスクリーンの再生
- 高純度カーボン（サセプター、ルツボ、板、ターゲット等）グラッシーカーボン
- PBNルツボ（シングル及びダブルウォール）
- スパッタリング、ターゲット（多種）
- 各種蒸着材料(Ai,Ni等単体又はIn/Sn,In/Zn等合金)
有機金属化合物類
MOVPE法による結晶、薄膜成長に欠かせない有機金属化合物にも対応いたします。
TMAL TMGA TEGA TMIN TMIS（S=Solution)
CPMG CPMM DMZM DEZN 等多種類
CPMG CPMM DMZM DEZN 等多種類
エピタキシャルウエハ
レーザー、ＬＥＤなどの光デバイス用、ＦＥＴ，ＨＢＴなどの電子デバイス用の高精度なエピタキシャルウエハのご相談もお受けいたします。
MOVPE,MBEで成長したGaAs,InP系エピワエハーのご相談に応じます。
| オプトデバイス用 |
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VCSEL用(λ=780,850,980nm他） LD用(FP,DFB)、LED用(λ=650〜1550nm 他) 受光素子用(PIN,APD向け） |
| 電子デバイス用 |
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P-HEMT,M-HEMT,HBT,MESFET向けなど
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